Desarrollo de la tecnología de MOVPE para el crecimiento de semiconductores III-V : fabricación de células solares para concentraciones luminosas elevadas
Título de la tesis:
Desarrollo de la tecnología de MOVPE para el crecimiento de semiconductores III-V : fabricación de células solares para concentraciones luminosas elevadas
Autor/es:
Galiana Blanco, Beatriz - Algora del Valle, Carlos
Tipo de documento:
Tesis (Doctoral)
Universidad:
E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento:
Electrónica Física
Idioma:
Castellano
Palabras clave:
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; FUENTES NO CONVENCIONALES DE ENERGIA; SEMICONDUCTORES; CRECIMIENTO DE CRISTALES;
Fecha de la defensa:
2006-01-01
Notas:
Tesis dirigida por: Algora del Valle, Carlos
Resumen: El trabajo de estas tesis trata sobre el desarrollo en el IES-UPM de la tecnología de crecimiento epitaxial de fase vapor mediante precursores metalorgánicos (MOVPE) para el crecimiento de células solares de semiconductores III-V para concentraciones luminosas elevadas.
En la primera parte de la memoria se presentan los principios de la MOVPE y el estudio de los materiales semiconductores utilizados a lo largo de la tesis: GaAs, AlGaAs, GaInP y AlInP. Para ello, se ha analizado cómo influyen las condiciones del proceso epitaxial en la velocidad de crecimiento y la concentración de portad...
Valoración:
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