Características electrónicas de diferentes dispositivos somentidos a radiación baja de neutrones y gamma
Título de la tesis:
Características electrónicas de diferentes dispositivos somentidos a radiación baja de neutrones y gamma
Autor/es:
Zong, Yi
Tipo de documento:
Tesis (Doctoral)
Universidad:
Universidad Complutense de Madrid
Departamento:
Departamento de Ingeniería de Sistemas y Automática
Idioma:
Castellano
Palabras clave:
Radiación
Fecha de la defensa:
2008-01-16
Notas:
En esta memoria, se han presentado las características electrónicas de diferentes dispositivos en tecnología CMOS (Switches Analógicos, Circuitos de Supervisión, Amplificadores de Aislamiento y Conversores Analógico-Digitales), incluyendo las de los dispositivos discretos sometidos a radiación baja de neutrones y gamma residual (5x1012-1014 n·cm-2 y 0.2-2 kGy (Si)). Los experimentos de radiación se realizaron en una fuente de neutrones especialmente dedicada. Para ello, se diseñó un sistema automático de caracterización, que fue optimizado para realizar un seguimiento exhaustivo de los parámet...
Valoración:
Clasificación por
